中芯国际第二代FinFET N+1可望于2020小批量试产

近日有报道称,在大规模量产14nm工艺后,中芯国际的N+1代工艺已经进入客户导入阶段,可望于2021年进入量产。

对此,中芯国际回应称,该公司的第一代FinFET 14nm工艺已于2019年第四季度量产,第二代FinFET N+1工艺已经进入客户导入阶段,可望于2020年底小批量试产。

N+1是中芯国际对其第二代先进工艺的代号,但从未明确具体数字节点,只是说相比于14nm性能提升20%、功耗降低57%、逻辑面积缩小63%、SoC面积缩小55%,之后的N+2工艺性能和成本都更高一些。

今年8月底的时候,中芯国际曾表示,N+1工艺进展顺利,已经进入客户产品验证阶段。(来源:快科技)